計(jì)算機(jī)硬件工程師考試模擬試題及答案

　　在日常學(xué)習(xí)和工作生活中，我們都要用到試題，借助試題可以更好地對(duì)被考核者的知識(shí)才能進(jìn)行考察測(cè)驗(yàn)。什么類(lèi)型的試題才能有效幫助到我們呢？下面是小編整理的計(jì)算機(jī)硬件工程師考試模擬試題及答案，供大家參考借鑒，希望可以幫助到有需要的朋友。

　　計(jì)算機(jī)硬件工程師考試模擬試題及答案 1

　　一、單選題 (共計(jì)23題，每題2分，共計(jì)46分)

　　1、筆記本計(jì)算機(jī)目前標(biāo)配的PCMCIA接口大多數(shù)支持（ ）卡。

　　A.Type I

　　B.Type II

　　C.Type III

　　D.以上都可以

　　2、逆變器的作用是將整流后的直流電變?yōu)椋?）。

　　A.方波電壓

　　B.正弦波電壓

　　C.高頻交流電

　　D.低頻交流電

　　3、AMD 公司的移動(dòng)Althlon 64-M處理器是AMD公司推出的第一款（ ）CPU。

　　A.超低功耗

　　B.64位

　　C.超級(jí)流水線(xiàn)技術(shù)

　　D.8MB緩存

　　4、BIOS和CMOS RAM是系統(tǒng)中兩個(gè)完全不同的部分，即BIOS的部分信息通過(guò)（ ）寫(xiě)入CMOS RAM。

　　A.SETUP程序

　　B.Install程序

　　C.Program程序

　　D.Debug程序

　　5、ICH4-M芯片的信號(hào)PME#功能是( )

　　A.PCI鎖信號(hào)

　　B.DMA請(qǐng)求信號(hào)

　　C.PCI復(fù)位信號(hào)

　　D.電源管理

　　6、若顯示屏顯示"Fan error"錯(cuò)誤信息時(shí)，應(yīng)該檢測(cè)計(jì)算機(jī)的()

　　A.CPU風(fēng)扇

　　B.內(nèi)存

　　C.顯卡

　　D.計(jì)時(shí)器

　　7、IBM筆記本計(jì)算機(jī)進(jìn)入BIOS的方式是冷開(kāi)機(jī)時(shí)按()鍵。

　　A.F1

　　B.F2

　　C.F8

　　D.F10

　　8、Mini PCI的.RST#信號(hào)在開(kāi)機(jī)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生（ ）的跳變。

　　A.低-高-低

　　B.高-低-高

　　C.高-低-保持

　　D.低-高-保持

　　9、PS/2鍵盤(pán)接口出現(xiàn)故障，需要檢測(cè)的信號(hào)有（ ）。

　　A.電源、時(shí)鐘、地址信號(hào)

　　B.電源、時(shí)鐘、數(shù)據(jù)信號(hào)

　　C.電源、數(shù)據(jù)信號(hào)、地線(xiàn)

　　D.地線(xiàn)、電源、時(shí)鐘

　　10、LCD燈管的啟動(dòng)電壓最低值在（ ）V以上。

　　A.10

　　B.100

　　C.1000

　　D.10000

　　11、如果筆記本計(jì)算機(jī)的電池?fù)p壞，最好的方法是更換電池組內(nèi)損壞的電池。

　　A.對(duì)

　　B.錯(cuò)

　　12、筆記本計(jì)算機(jī)DDRII內(nèi)存的工作電壓是（ ）。

　　A.5V

　　B.3.3V

　　C.2.5V

　　D.1.8V

　　13、若主板不能加電，首先應(yīng)檢測(cè)的電路是（ ）。

　　A.復(fù)位電路

　　B.軟開(kāi)機(jī)電路

　　C.+3.3V和+5V供電電路

　　D.CPU供電電路

　　14、貼片電阻器阻值標(biāo)識(shí)是106，它的實(shí)際阻值是（ ）歐姆。

　　A.10，000，000

　　B.100，000

　　C.100，000，000

　　D.1000，000，000

　　15、半導(dǎo)體三極管的放大條件是（ ）。

　　A.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏

　　B.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏

　　C.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏

　　D.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏

　　16、集成運(yùn)算放大器主要用于模擬計(jì)算機(jī)進(jìn)行（ ）電路的運(yùn)算。

　　A.放大

　　B.數(shù)學(xué)

　　C.乘法

　　D.加法

　　17、將若干片中規(guī)模集成電路計(jì)數(shù)器串聯(lián)后，總的計(jì)數(shù)容量為每片計(jì)數(shù)容量的（ ）。

　　A.和

　　B.差

　　C.積

　　D.1倍

　　18、（ ）可以作為交流放大電路的耦合電路。

　　A.低通濾波器

　　B.高通濾波器

　　C.帶通濾波器

　　D.帶阻濾波器

　　19、純錫的熔點(diǎn)是（ ），純鉛的熔點(diǎn)是（ ）

　　A.232°C,327°C

　　B.327°C,232°C

　　C.183°C,250°C

　　D.250°C,183°C

　　20、采用帶引線(xiàn)的塑料芯片載體封裝，外形呈正方形，32腳封裝的技術(shù)叫（ ）

　　A.DIP 封裝。

　　B.PLCC封裝。

　　C.QFP 封裝

　　D.PGA封裝

　　21、指針式萬(wàn)用表使用完畢時(shí)應(yīng)將檔位開(kāi)關(guān)置于（ ）

　　A.空檔或最高電壓檔

　　B.電流檔

　　C.歐姆檔

　　D.二極管檔

　　22、數(shù)字示波器雙蹤顯示時(shí)，觸發(fā)源選擇短周期信號(hào)、或是幅度稍小的信號(hào)。（ ）

　　A.對(duì)

　　B.錯(cuò)

　　二、多選題 (共計(jì)8題，每題3分，共計(jì)24分)

　　1、筆記本計(jì)算機(jī)適配器選購(gòu)時(shí)主要考慮的因素有（ ）。

　　A.輸入電壓

　　B.輸出電壓

　　C.接口外形

　　D.輸出電流

　　E.外形

　　2、在筆記本計(jì)算機(jī)電路中MAX1904芯片正常情況下輸出（ ）V電壓。

　　A.+3.3

　　B.+5

　　C.+12

　　D.-5

　　3、在檢測(cè)筆記本計(jì)算機(jī)BIOS電路時(shí)，主要檢測(cè)的控制信號(hào)有（ ）。

　　A.CS#

　　B.OE#

　　C.WE#

　　D.CLK

　　E.RST#

　　4、由14.318MHz晶振提供工作時(shí)鐘的部件有（ ）。

　　A.Mini PCI

　　B.硬盤(pán)

　　C.內(nèi)存

　　D.南橋芯片

　　5、可以采用DMA方式工作的設(shè)備和總線(xiàn)有（ ）。

　　A.IDE

　　B.軟驅(qū)

　　C.PCI總線(xiàn)

　　D.AGP總線(xiàn)

　　6、若串行接口出現(xiàn)故障一般應(yīng)檢測(cè)（ ）芯片是否工作正常。

　　A.并行接口給信號(hào)供電的提拉電阻

　　B.緩沖器(如MAX3243)

　　C.I/O芯片

　　D.南橋

　　7、更換筆記本計(jì)算機(jī)LCD燈管時(shí)，需要考慮的因素有（ ）。

　　A.LCD的型號(hào)

　　B.燈管的安裝位置

　　C.管徑

　　D.屏幕大小

　　8、鍵盤(pán)采用的內(nèi)部結(jié)構(gòu)有（ ）.

　　A.機(jī)械式

　　B.電容式

　　C.塑料薄膜式

　　D.導(dǎo)電橡膠式

　　試題答案：

　　一、單選題

　　二、多選題

　　計(jì)算機(jī)硬件工程師考試模擬試題及答案 2

　　1.單選題：

　　筆記本計(jì)算機(jī)目前標(biāo)配的PCMCIA接口大多數(shù)支持【B.Type II】卡。

　　2.選擇題：

　　清潔顯示器的正確方法是（A.使用軟布輕輕擦拭顯示器表面）。

　　3.判斷題：

　　SATA硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度通�？煊赑ATA硬盤(pán)。（正確）

　　4.簡(jiǎn)答題：

　　問(wèn)題：什么是RAID技術(shù)？請(qǐng)簡(jiǎn)述RAID 0和RAID 1的區(qū)別。

　　答案：RAID（Redundant Array of Independent Disks）技術(shù)是一種將多個(gè)磁盤(pán)組合在一起，以提高數(shù)據(jù)讀寫(xiě)速度、增加存儲(chǔ)容量或提升數(shù)據(jù)冗余性的方法。RAID 0通過(guò)數(shù)據(jù)條帶化提高讀寫(xiě)速度，但不提供數(shù)據(jù)冗余，一旦一個(gè)磁盤(pán)損壞，所有數(shù)據(jù)都會(huì)丟失。而RAID 1則是鏡像配置，數(shù)據(jù)在兩個(gè)磁盤(pán)上同時(shí)寫(xiě)入，提供了完整的數(shù)據(jù)冗余，但存儲(chǔ)容量?jī)H為總磁盤(pán)容量的'一半。

　　5.填空題：

　　在CPU中，寄存器用于暫時(shí)存放參加運(yùn)算的數(shù)據(jù)和得到的中間結(jié)果。

　　6.問(wèn)答題：

　　問(wèn)題：請(qǐng)解釋DDR4內(nèi)存相比DDR3內(nèi)存的主要改進(jìn)之處。

　　答案：DDR4內(nèi)存相比DDR3內(nèi)存，主要改進(jìn)包括更高的數(shù)據(jù)傳輸速率、更低的電壓（通常為1.2V對(duì)比DDR3的1.5V），更大的容量支持、更好的電源管理和更高的效率，以及增強(qiáng)的信號(hào)完整性設(shè)計(jì)等。