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常見(jiàn)的超頻內(nèi)存認(rèn)識(shí)誤區(qū)
超頻作為顯著提升硬件價(jià)值的一種常用手段，受到眾多超頻DIY玩家的追捧，下面整理了一些常見(jiàn)的超頻內(nèi)存認(rèn)識(shí)誤區(qū)，希望對(duì)大家有所幫助!
常見(jiàn)的超頻內(nèi)存認(rèn)識(shí)誤區(qū)
誤區(qū)一：帶散熱片的產(chǎn)品更能超頻
配以散熱片的內(nèi)存，更多的是起到了美化產(chǎn)品形象的作用，有的甚至可能成為內(nèi)存的遮羞布，讓您看不到它所使用的芯片，要知道內(nèi)存芯片才是決定超頻下限的基礎(chǔ)。比如一些名廠的產(chǎn)品，雖然并沒(méi)有帶上這層散熱片，但這樣的低規(guī)格內(nèi)存就超過(guò)了很多帶有散熱片的高規(guī)格產(chǎn)品，就很能說(shuō)明這個(gè)問(wèn)題。所以在選購(gòu)內(nèi)存時(shí)，有沒(méi)有散熱片不是考慮因素，帶散熱片的產(chǎn)品不見(jiàn)得更能超頻。
像金士頓、金邦、宇瞻、金泰克等品牌內(nèi)存，每顆芯片都是廠家精挑細(xì)選后的優(yōu)秀A級(jí)顆粒，發(fā)熱量小不說(shuō)，同時(shí)在頻率方面也留有余地，即使它們不使用任何散熱手段，也能有良好的表現(xiàn)，散熱方面更不需要擔(dān)心。
誤區(qū)二：?jiǎn)蚊鎯?nèi)存和雙面內(nèi)存在超頻方面一樣
這個(gè)誤區(qū)可能大家有所疑惑，怎么會(huì)不一樣呢?這是因?yàn)閱蚊鎯?nèi)存比雙面內(nèi)存在超頻方面更有先天優(yōu)勢(shì)，這主要取決于芯片組的驅(qū)動(dòng)負(fù)載能力。單面的內(nèi)存大多為8顆芯片，如目前主流的512MB產(chǎn)品，雙面的為16顆芯片，如目前主流的1GB產(chǎn)品。這就意味著后者需要更大的驅(qū)動(dòng)能力，雖然工作時(shí)會(huì)通過(guò)片選信號(hào)選中一個(gè)P-Bank工作，但不工作的P-Bank仍會(huì)增加地址與控制信號(hào)線(xiàn)的負(fù)載。
所以，很明顯的就可看出，8顆芯片總是要比16顆芯片更容易驅(qū)動(dòng)。此外，芯片的增多，也使PCB上的信號(hào)線(xiàn)數(shù)量將是前者的一倍，如果設(shè)計(jì)不良，產(chǎn)生相互干擾的機(jī)率也就大幅度增加，這也可能會(huì)影響超頻能力，不過(guò)這是相對(duì)次要的原因，就模組本身而言，超頻能力更多的取決于芯片。
誤區(qū)三：相同芯片的不同品牌意味著超頻能力相同
有人對(duì)這個(gè)誤區(qū)可能不理解，選用相同的顆粒，為什么超頻能力卻不同?其實(shí)對(duì)于不同品牌的兩款內(nèi)存條雖然采用了相同的芯片，但它們?cè)诔l性能上是存有差異的，可主要取決于產(chǎn)品的PCB設(shè)計(jì)及選用顆粒的品質(zhì)�，F(xiàn)市面上超頻較好的顆粒多見(jiàn)現(xiàn)代、三星、英飛凌等，但這些顆粒即使是相同編號(hào)它們也是分等級(jí)的，這其中品質(zhì)優(yōu)秀的留給自己的原裝內(nèi)存，或者是關(guān)系較好的幾家內(nèi)存廠家。對(duì)于關(guān)系一般的廠家采購(gòu)到的顆粒，就有可能是品質(zhì)稍遜一些了，所以，即使采用相同芯片，但品牌不同，那么超頻能力也不盡相同。
誤區(qū)四：CSP封裝的芯片意味著好超頻
相對(duì)來(lái)說(shuō)，CSP封裝的內(nèi)存，在技術(shù)上較TSOP-II更為先進(jìn)，但卻與最終內(nèi)存性能的關(guān)系不太大。采用CSP封裝芯片的內(nèi)存，在超頻方面和內(nèi)存優(yōu)化方面不一定就比傳統(tǒng)的TSOP-II芯片模組強(qiáng)。所以大家不要過(guò)分迷信CSP封裝，它本身雖然可以達(dá)到比TSOP-II更高的頻率，但對(duì)外圍電路的要求和電氣環(huán)境的變化也比較苛刻。采用TSOP-II封裝的內(nèi)存，超頻能力比CSP封裝更強(qiáng)的情況更為普遍，所以CSP封裝的芯片不意味著好超頻。
誤區(qū)五：規(guī)格高的內(nèi)存在優(yōu)化能力上比規(guī)格低的內(nèi)存強(qiáng)
從理論上講，DDR500要比DDR400規(guī)格高速度要快，而實(shí)際上卻并不絕對(duì)。因?yàn)橛泻芏喔咭?guī)格的內(nèi)存都是靠犧牲時(shí)序優(yōu)化能力來(lái)?yè)Q取。像DDR500的內(nèi)存條雖然標(biāo)稱(chēng)頻率更高，但并不能表示它在DDR400下具有更好的優(yōu)化能力。原因很簡(jiǎn)單，DDR500所使用的芯片有可能和普通DDR400的芯片是一樣的，在時(shí)序優(yōu)化能力方面并不占優(yōu)，而能達(dá)到DDR500更多的是通過(guò)放寬時(shí)序要求來(lái)達(dá)到的。所以，規(guī)格高的內(nèi)存在優(yōu)化能力上不見(jiàn)得比規(guī)格低的內(nèi)存強(qiáng)。因此，玩家在選購(gòu)內(nèi)存時(shí)一定要注意這一點(diǎn)，這也體現(xiàn)了兩種不同的選購(gòu)傾向，是想得到最佳的DDR500性能還是最高的工作頻率。
誤區(qū)六：產(chǎn)品參數(shù)設(shè)置最大就好超頻
這個(gè)問(wèn)題可以通過(guò)事實(shí)說(shuō)話(huà)，以DDR400內(nèi)存為例，當(dāng)用3-4-4超不上去時(shí)，就應(yīng)換用BySPD的方法進(jìn)行超頻。有些默認(rèn)CL=2.5的產(chǎn)品，BySPD反而會(huì)比3-4-4好超，但有些則不是，默認(rèn)CL=3的產(chǎn)品，BySPD與3-4-4都差不多，可能會(huì)有1、2MHz的區(qū)別。估計(jì)這應(yīng)該是芯片所體現(xiàn)出來(lái)的差異。
CL是一個(gè)唯一在內(nèi)存初始化時(shí)寫(xiě)入芯片內(nèi)模式寄存的參數(shù)(tRCD、tRP只需北橋控制即可)，所以它的值與芯片本身固有的可調(diào)整范圍就需要匹配，如果芯片本身的局限性較大，那么調(diào)高CL值反而會(huì)造成內(nèi)存子系統(tǒng)的不穩(wěn)定而導(dǎo)致不能開(kāi)機(jī)。所以，3-4-4雖然是一個(gè)超頻時(shí)常用的設(shè)置，但如果遇到一點(diǎn)也不能超時(shí)，建議改用BySPD試一試，可能會(huì)有驚喜。所以，有些產(chǎn)品參數(shù)設(shè)置最大可不見(jiàn)得就好超頻。
電腦內(nèi)存工作原理
1.內(nèi)存尋址
首先，內(nèi)存從CPU獲得查找某個(gè)數(shù)據(jù)的指令，然后再找出存取資料的位置時(shí)（這個(gè)動(dòng)作稱(chēng)為“尋址”），它先定出橫坐標(biāo)（也就是“列地址”）再定出縱坐標(biāo)（也就是“行地址”），這就好像在地圖上畫(huà)個(gè)十字標(biāo)記一樣，非常準(zhǔn)確地定出這個(gè)地方。對(duì)于電腦系統(tǒng)而言，找出這個(gè)地方時(shí)還必須確定是否位置正確，因此電腦還必須判讀該地址的信號(hào)，橫坐標(biāo)有橫坐標(biāo)的信號(hào)（也就是RAS信號(hào)，Row Address Strobe）縱坐標(biāo)有縱坐標(biāo)的信號(hào)（也就是CAS信號(hào)，Column Address Strobe），最后再進(jìn)行讀或?qū)懙膭?dòng)作。因此，內(nèi)存在讀寫(xiě)時(shí)至少必須有五個(gè)步驟：分別是畫(huà)個(gè)十字（內(nèi)有定地址兩個(gè)操作以及判讀地址兩個(gè)信號(hào)，共四個(gè)操作）以及或讀或?qū)懙牟僮�，才能完成�?nèi)存的存取操作。
2.內(nèi)存?zhèn)鬏?/p>
為了儲(chǔ)存資料，或者是從內(nèi)存內(nèi)部讀取資料，CPU都會(huì)為這些讀取或?qū)懭氲馁Y料編上地址（也就是我們所說(shuō)的十字尋址方式），這個(gè)時(shí)候，CPU會(huì)通過(guò)地址總線(xiàn)（Address Bus）將地址送到內(nèi)存，然后數(shù)據(jù)總線(xiàn)（Data Bus）就會(huì)把對(duì)應(yīng)的正確數(shù)據(jù)送往微處理器，傳回去給CPU使用。
3.存取時(shí)間
所謂存取時(shí)間，指的是CPU讀或?qū)憙?nèi)存內(nèi)資料的過(guò)程時(shí)間，也稱(chēng)為總線(xiàn)循環(huán)（bus cycle）。以讀取為例，從CPU發(fā)出指令給內(nèi)存時(shí)，便會(huì)要求內(nèi)存取用特定地址的特定資料，內(nèi)存響應(yīng)CPU后便會(huì)將CPU所需要的資料送給CPU，一直到CPU收到數(shù)據(jù)為止，便成為一個(gè)讀取的流程。因此，這整個(gè)過(guò)程簡(jiǎn)單地說(shuō)便是CPU給出讀取指令，內(nèi)存回復(fù)指令，并丟出資料給CPU的過(guò)程。我們常說(shuō)的6ns（納秒，秒－9）就是指上述的過(guò)程所花費(fèi)的時(shí)間，而ns便是計(jì)算運(yùn)算過(guò)程的時(shí)間單位。我們平時(shí)習(xí)慣用存取時(shí)間的倒數(shù)來(lái)表示速度，比如6ns的內(nèi)存實(shí)際頻率為1／6ns＝166MHz（如果是DDR就標(biāo)DDR333，DDR2就標(biāo)DDR2 667）。
4.內(nèi)存延遲
內(nèi)存的延遲時(shí)間(也就是所謂的潛伏期，從FSB到DRAM)等于下列時(shí)間的綜合：FSB同主板芯片組之間的延遲時(shí)間(±1個(gè)時(shí)鐘周期)，芯片組同DRAM之間的延遲時(shí)間(±1個(gè)時(shí)鐘周期)，RAS到CAS延遲時(shí)間：RAS(2-3個(gè)時(shí)鐘周期,用于決定正確的行地址)，CAS延遲時(shí)間 (2-3時(shí)鐘周期,用于決定正確的列地址)，另外還需要1個(gè)時(shí)鐘周期來(lái)傳送數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)從DRAM輸出緩存通過(guò)芯片組到CPU的延遲時(shí)間(±2個(gè)時(shí)鐘周期)。一般的說(shuō)明內(nèi)存延遲涉及四個(gè)參數(shù)CAS（Column Address Strobe 行地址控制器）延遲，RAS（Row Address Strobe列地址控制器）－to－CAS延遲，RAS Precharge（RAS預(yù)沖電壓）延遲，Act-to-Precharge（相對(duì)于時(shí)鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時(shí)間）延遲。其中CAS延遲比較重要，它反映了內(nèi)存從接受指令到完成傳輸結(jié)果的過(guò)程中的延遲。大家平時(shí)見(jiàn)到的數(shù)據(jù)3—3—3—6中，第一參數(shù)就是CAS延遲（CL＝3）。當(dāng)然，延遲越小速度越快。
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