電場強(qiáng)度高二上物理知識點(diǎn)
高二物理電場強(qiáng)度概念
①定義：放入電場中某點(diǎn)的電荷所受靜電力F跟它的電荷量比值，叫做該點(diǎn)的電場強(qiáng)度。
�、诙x式：E=F/q ，F(xiàn)為電場對試探電荷的作用力，q為放入電場中某點(diǎn)的檢驗(yàn)電荷(試探電荷)的電荷量。
③電場強(qiáng)度的方向：規(guī)定為放在該點(diǎn)的正電荷受到的靜電力方向。與正電荷受力方向相同，與負(fù)電荷受力方向相反。
④物理意義：描述電場強(qiáng)弱的物理量，描述電場的力的`性質(zhì)的物理量。電場強(qiáng)度的大小取決與電場本身，或者說取決于激發(fā)電場的電荷，與電場中的受力電荷無關(guān)。
�、葸m用條件：適用于一切電場。
�、揠妶鰪�(qiáng)度是矢量。
�、唠妶龅臎Q定式：E=kQ/r(只適用于點(diǎn)電荷)。其中E是電場強(qiáng)度，k是靜電力常量，Q是源電荷的電量，r是源電荷與試探電荷的距離。
⑧電場力：F=E×q
各類場強(qiáng)公式
高二物理電磁場
真空中點(diǎn)電荷場強(qiáng)公式：E=KQ/r
勻強(qiáng)電場場強(qiáng)公式：E=U/d(d為沿場強(qiáng)方向兩點(diǎn)間距離)
任何電場中都適用的定義式：E=F/q
平行板電容器間的場強(qiáng)E=U/d=4πkQ/eS
介質(zhì)中點(diǎn)電荷的場強(qiáng)：E=kQ/(r)
均勻帶電球殼的電場：E內(nèi)=0，E外=k×Q/r
無限長直線的電場強(qiáng)度：E=2kρ/r(ρ為電荷線密度，r為與直線距離)
帶電半圓對圓心的電場強(qiáng)度：E=2kρ/R(ρ為電荷線密度，R為半圓半徑)
與半徑為R圓環(huán)所在的平面垂直，
對任意帶電曲線的場強(qiáng)公式：E=∫kρ/r ds....(r為距曲線距離，為坐標(biāo)x，y的函數(shù)，
同理，帶電曲面為它的曲面積分。
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