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Wannier激子（Wannierexciton）
Wannier激子(Wannierexciton)
半導體吸收具有帶隙能量的光子時產生的電子空穴對，在低溫下沒有足夠的動能使它們分開，相互靠近的電子、空穴由于庫侖互作用而形成的一個束縛態(tài)，很像氫原子中的質子與電子那樣。Wannier激子的能量為
En=-13.6/2n2，n為量子數(shù)，為介電常數(shù)，是電子和空穴的.折合有效質量，它的能級在導帶底以下幾個毫電子伏范圍，因而在半導體的基本吸收邊的長波側可看到幾個清晰的激子吸收峰，對應于處在量子數(shù)n較低的一些激子狀態(tài)。
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