學生半導體器件學習考研指導
我們在進行半導體器件的考研時，要多聽取他人的指導。小編為大家精心準備了半導體器件考研指導，歡迎大家前來閱讀。
哈爾濱工業(yè)大學半導體物理Ⅱ考研初試大綱
考試科目名稱：半導體物理Ⅱ 考試科目代碼：[829]
一、考試要求：
要求考生系統(tǒng)地掌握半導體物理的基本概念和基本原理，并能利用基本原理分析半導體的物理性能。要求考生對半導體的晶體結構和能帶論、載流子統(tǒng)計分布、載流子輸運過程、p-n結理論、金屬-半導體接觸理論、半導體光電效應等基本原理有很好的掌握，并能熟練運用分析半導體的光電特性。
二、考試內(nèi)容：
1)半導體晶體結構和能帶論
a:半導體晶格結構及電子狀態(tài)和能帶
b:半導體中電子的運動
c:本征半導體的導電機構
d:硅和鍺及常用化合物半導體的能帶結構
2)雜質(zhì)半導體理論
a:硅和鍺晶體中的雜質(zhì)能級
b:常用化合物半導體中的雜質(zhì)能級
c:缺陷、位錯能級
3)載流子的統(tǒng)計分布
a:狀態(tài)密度與載流子的統(tǒng)計分布
b:本征與雜質(zhì)半導體的載流子濃度
c:一般情況下載流子統(tǒng)計分布
d:簡并半導體
4)半導體的導電性
a:載流子的漂移運動與散射機構
b:遷移率、電阻率與雜質(zhì)濃度和溫度的關系
c:多能谷散射、耿氏效應
5)非平衡載流子
a:非平衡載流子的注入、復合與壽命
b:準費米能級
c:復合理論、陷阱效應
d:載流子的擴散、電流密度方程
e:連續(xù)性方程
6)p-n結理論
a:p-n結及其能帶圖
b:p-n結電流電壓特性
c:p-n結電容、p-n結隧道效應
7)金屬-半導體接觸理論
a:金-半接觸、能帶及整流理論
b:歐姆接觸
8)半導體光電效應
a:半導體的光學性質(zhì)(光吸收和光發(fā)射)
b:半導體的光電導效應
c:半導體的光生伏特效應
d:半導體發(fā)光二極管、光電二極管
三、試卷結構：
a)考試時間：180分鐘，滿分：150分
b)題型結構
a:概念及簡答題(60分)
b:論述題(90分)
c)內(nèi)容結構
a:半導體晶體結構和能帶論及雜質(zhì)半導體理論(30分)
b:載流子的統(tǒng)計分布(20分)
c:半導體的導電性(20分)
d:非平衡載流子(20分)
e:p-n結理論和金屬-半導體接觸理論(30分)
f:半導體光電效應(30分)
西安電子科技大學年半導體物理與器件物理考研大綱
“半導體物理與器件物理”(801)
一、總體要求
“半導體物理與器件物理”(801)由半導體物理、半導體器件物理二部分組成，半導體物理占60%(90分)、器件物理占40%(60分)。
“半導體物理”要求學生熟練掌握半導體的相關基礎理論，了解半導體性質(zhì)以及受外界因素的影響及其變化規(guī)律。重點掌握半導體中的電子狀態(tài)和帶、半導體中的雜質(zhì)和缺陷能級、半導體中載流子的統(tǒng)計分布、半導體的導電性、半導體中的非平衡載流子等相關知識、基本概念及相關理論，掌握半導體中載流子濃度計算、電阻(導)率計算以及運用連續(xù)性方程解決載流子濃度隨時間或位置的變化及其分布規(guī)律等。
“器件物理”要求學生掌握MOSFET器件物理的基本理論和基本的分析方法，使學生具備基本的器件分析、求解、應用能力。要求掌握MOS基本結構和電容電壓特性;MESFET器件的基本工作原理;MOSFET器件的頻率特性;MOSFET器件中的非理想效應;MOSFET器件按比例縮小理論;閾值電壓的影響因素;MOSFET的擊穿特性;掌握器件特性的基本分析方法。
“半導體物理與器件物理”(801)研究生入學考試是所學知識的總結性考試，考試水平應達到或超過本科專業(yè)相應的課程要求水平。
二、各部分復習要點
●“半導體物理”部分各章復習要點
(一)半導體中的電子狀態(tài)
1.復習內(nèi)容
半導體晶體結構與化學鍵性質(zhì)，半導體中電子狀態(tài)與能帶，電子的運動與有效質(zhì)量，空穴，回旋共振，元素半導體和典型化合物半導體的能帶結構。
2.具體要求
半導體中的電子狀態(tài)和能帶
半導體中電子的運動和有效質(zhì)量
本征半導體的導電機構
空穴的概念
回旋共振及其實驗結果
Si、Ge和典型化合物半導體的能帶結構
(二)半導體中雜志和缺陷能級
1.復習內(nèi)容
元素半導體中的雜質(zhì)能級，化合物半導體中的雜質(zhì)能級、位錯和缺陷能級。
2.具體要求
Si和Ge晶體中的雜質(zhì)能級
雜質(zhì)的補償作用
深能級雜質(zhì)
�、�-Ⅴ族化合物半導體中的雜質(zhì)能級
等電子雜質(zhì)與等電子陷阱
半導體中的缺陷與位錯能級
(三)半導體中載流子的統(tǒng)計分布
1.復習內(nèi)容
狀態(tài)密度，F(xiàn)ermi能級，載流子統(tǒng)計分布，本征和雜質(zhì)半導體的載流子濃度，補償半導體的載流子濃度，簡并半導體
2.具體要求
狀態(tài)密度的定義與計算
費米能級和載流子的統(tǒng)計分布
本征半導體的載流子濃度
雜質(zhì)半導體的載流子濃度
雜質(zhì)補償半導體的載流子濃度
簡并半導體及其載流子濃度、簡并化條件、簡并半導體的特點與雜質(zhì)帶導電
載流子濃度的分析計算方法及其影響載流子濃度的因素
(四)半導體的導電性
1.復習內(nèi)容
載流子的'漂移運動，遷移率，載流子的散射，遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關系，電阻率與雜質(zhì)濃度和溫度的關系，強場效應與熱載流子
2.具體要求
載流子漂移運動
遷移率
載流子散射
半導體中的各種散射機制
遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關系
電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關系
強電場下的效應
高場疇區(qū)與Gunn效應;
(五)非平衡載流子
1.復習內(nèi)容
非平衡載流子的產(chǎn)生與復合，非平衡載流子壽命，準費米能級，復合理論，陷阱效應，非平衡載流子載流子的擴散與漂移，愛因斯坦關系，連續(xù)性方程。
2.具體要求
非平衡載流子的注入與復合
準費米能級
非平衡載流子的壽命
復合理論
陷阱效應
載流子的擴散運動
載流子的漂移運動
Einstein關系
連續(xù)性方程的建立及其應用
●“器件物理”部分各章復習要點
(一)金屬-氧化物-半導體場效應結構物理基礎
1.復習內(nèi)容
MOS結構的物理性質(zhì)，能帶結構與空間電荷區(qū)，平帶電壓與閾值電壓，電容電壓特性
2.具體要求
MOS結構的物理性質(zhì)
n型和p型襯底MOS電容器的能帶結構
耗盡層厚度的計算
功函數(shù)的基本概念以及金屬-半導體功函數(shù)差的計算方法
平帶電壓的定義與求解;閾值電壓的影響因素;
MOS電容的定義，理想的C-V特性;影響C-V特性的主要因素
(二)MOSFET基本工作原理
1.復習內(nèi)容
MOSFET基本結構，MOSFET電流電壓關系，襯底偏置效應。MOSFET的頻率特性。閂鎖現(xiàn)象
2.具體要求
MOSFET電流電壓關系的定性分析，漏極電流與柵壓之間的關系;
襯偏效應的概念及影響
小信號等效電路的概念與分析方法
MOSFET器件頻率特性的影響因素
CMOS基本技術及閂鎖現(xiàn)象
(三)MOSFET器件的深入概念
1.復習內(nèi)容
MOSFET中的非理想效應;MOSFET的按比例縮小理論;小尺寸器件的閾值電壓;MOSFET器件的擊穿特性
2.具體要求
理解實際器件與理想特性之間的偏差及其原因
器件按比例縮小的基本方法動態(tài)電路方程及其求解
短溝道效應與窄溝道效應對MOSFET器件閾值電壓的影響
MOSFET器件的各種擊穿模式，擊穿電壓的影響因素
三、試卷結構與考試方式
1、題型結構：名詞解釋、簡答題、問答題、計算題、判斷題、繪圖題等。試卷滿分為150分。
2、考試方式：閉卷，考試必須按照規(guī)定攜帶不具備編程和存儲功能的函數(shù)計算器。
3、考試時間：180分鐘。
四、參考書目
1、《半導體物理學》(第七版)，劉恩科、朱秉升、羅晉生等著，電子工業(yè)出版社 2011年3月。
2、《半導體物理與器件》(第4版)趙毅強等譯 電子工業(yè)出版社 2013年。
南京電子器件研究所考研調(diào)劑信息
南京電子器件研究所始建于1958年，主要從事固態(tài)功率器件、微波毫米波模塊電路等專業(yè)技術的研發(fā)和生產(chǎn)，研制的核心芯片和關鍵元器件在我軍戰(zhàn)略預警、防空反導、精確打擊、機載火控等信息化裝備和載人航天等國家大型工程中發(fā)揮了舉足輕重的作用;科研進入了國家科技發(fā)展的“主渠道”，是國家科技重大專項核心電子器件領域的主要承擔單位之一，目前在三代半導體研制領域處于國內(nèi)領先水平;積極推動軍民融合發(fā)展，民品產(chǎn)業(yè)進入國民經(jīng)濟信息化建設的主戰(zhàn)場，形成了射頻電子、功率電子兩大支柱產(chǎn)業(yè)板塊。
碩士點以國家級重點實驗室為依托，擁有國內(nèi)一流的科研條件，師資力量雄厚。南京電子器件研究所現(xiàn)有研發(fā)人員1500余人，高工以上職稱354人，集團公司首席科學家2人，首席專家2人，享受政府特殊津貼55人，江蘇新世紀百千萬人才工程國家級人選2人。南京電子器件研究所是“單片集成電路與模塊重點實驗室”、“國家平板顯示工程技術研究中心”、“寬禁帶半導體電力電子器件實驗室”、“有源層優(yōu)化生長技術研究應用中心”等國家級實驗室和工程中心的依托單位。建所以來，共取得科研成果3000多項，其中省(部)級以上科技進步獎560多項，國家級科技進步獎60多項，國家科學技術進步獎特等獎2項。
南京電子器件研究所招收的研究生為全日制學術型碩士，學制2.5年，且為定向培養(yǎng)。研究生第一年在東南大學選修課程，學分修滿后第二年回所做課題完成畢業(yè)論文。我所對在讀研究生實行獎學金制度，學生讀研期間免收學費及住宿費。在讀學生入住舒適的單身公寓，每月發(fā)放餐補。
2017年全國研究生招生考試成績已公布，我所將接收調(diào)劑考生十多名。調(diào)劑條件如下：
一、學生畢業(yè)院校為：“985”和“211”等重點院�？忌�
二、畢業(yè)專業(yè)：電子科學與技術、微電子學、電磁場與微波技術、電子信息工程等相關專業(yè)(計算機、自動化、機械等方向不接收)。
三、統(tǒng)考科目為數(shù)學一和英語一。
四、報考學位為全日制學術型學位。
符合上述條件，并且有志于為國防事業(yè)做出貢獻的考生，請將個人簡歷(含項目經(jīng)驗、本科成績等)及我所調(diào)劑申請表(附件)發(fā)送郵件至：，并在郵件標題中注明姓名、畢業(yè)學校、專業(yè)及考研總分。
【學生半導體器件學習考研指導】相關文章：
關于半導體器件物理知識三篇06-20
考研政治試卷解析及考研指導10-25
考研政治的備考指導07-11
文科專業(yè)考研指導08-20
2017英語考研指導08-20
小學生學習指導教案12-05
考研指導之考研英語翻譯策略06-29
考研指導哪些考研信息需要重點關注10-19
考研專家解析哪種專業(yè)適合考研指導10-20